Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
GT25Q101
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
GT25Q101
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| Ähnliche |
Grenzwerte anders:
GT25J101
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N-Channel IGBT;
Form/Case/Outline: (2-21F1C) ~ TO-247 Anschlussfolge GCE;
Daten/electr.data: U S: <4.0 V; Ices: <1 mA; Pc: 200 W; Ic max: 25 A (peak: 50 A); Vces max: 1200 V; Vges max: +/- 20 V; t f: <0.5 µs; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
20 x 26 x 5 mm / 0.79 x 1.02 x 0.20 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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GT25Q101
Günther Stabe † 19.8.20
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GT25Q101: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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