Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
GT30J322
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
GT30J322
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N-Channel IGBT;
Form/Case/Outline: (2-16F1A) ~ TO-3-P Anschlussfolge GCE;
Daten/electr.data: U S: 2.1 V; Ices: <1 mA; Pc: 75 W; Ic max: 30 A (peak: 100 A); Vces max: 600 V; Vges max: +/- 20 V; t f: 0.25 µs; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
16 x 21 x 4 mm / 0.63 x 0.83 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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GT30J322: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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