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H02N60I

Information - Aide 
ID = 60567
       
Pays:
Taiwan (Republique de Chine)
Fabricant: Common type Taiwan tube/semicond.
Type:  Transistor   Alimentation 
Identique à H02N60I
Similaires
Remplaçants avec petites différences :
  CEP02N6 ; FQU2N60 ; SSP2N60A ; UTC2N60L

Culot Wires
Description

Silicon N-channel enhancement power MOS-FET 600 V, 2 A.
-

 
Texte dans d'autres langues (peut différer)
Dimensions
(l x h x p)
incl.pins/tip
10 x 16 x 5 mm / 0.39 x 0.63 x 0.20 inch
Poids 2 g / 0.07 oz
Bibliographie - - Manufacturers Literature   HI-SINCERITY

to_220_iso_gds_tosh~~4.png H02N60I: (Toshiba)
Günther Stabe † 19.8.20

Collection de

 
h02n601.jpg

H02N60I
 

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