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HGTG20N60A4D

Information - Hilfe 
ID = 73586
       
Land:
USA
Marke: Fairchild Semiconductor Inc., South Portland/Maine
Typ:  Transistor   Stromversorgung 
Identisch mit HGTG20N60A4D
Sockel Drahtenden
Anwender Industrie
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal IGBT, mit antipar. superschneller Diode;
Form/Case/Outline: TO-247 Anschlussfolge GCE;
Daten/electr.data: V ds: 600 V; V gs: +/- 20 V; Id: 70 A; U S: <2.7 V; Pd: 290 W; tmax op: -55...+150 °C.
Variante: HGT4E20N60A4DS = TO-268;
-

 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 16 x 20 x 5 mm / 0.63 x 0.79 x 0.20 inch
Gewicht 2 g / 0.07 oz
Literatur - - Manufacturers Literature   
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HGTG20N60A4D: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
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Günther Stabe † 19.8.20
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HGTG20N60A4D: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20

Sammlung von

Rudolf Osterkamp (D)
 
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