Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
HPA100R
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
HPA100R
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium dreifach diff. NPN Composite Transistor, mit Damper-Diode;
Form/Case: TO-3-PBL Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 1.5 A; U F: 6 V; U S: <5 V; Isp: <5 mA; ß (beta): >8*; N: 150 W; Imax(Ic): 10 A (peak: 25 A); Umax(Ucb): 1500 V; Umax(Uce): 800 V; f g(FT): __ MHz; tf: 0.1 µs; tmax j: 150 °C;
Varianten: HPA100R-2 = 4-6*, HPA100R-3 = 5-8*, HPA100R-4 = 7-10* (hfe-Gruppen);
Horizontalablenkstufen -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
20 x 26 x 3 mm / 0.79 x 1.02 x 0.12 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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HPA100R: Sanyo
Günther Stabe † 19.8.20
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HPA100R: Sanyo
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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