Radios antiguas y Radios de Colección
HSB1109S
País:
Taiwan (Republic of China)
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Idéntica a |
HSB1109S
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Base |
Wires
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Descripción |
PNP silicon epitaxial planar high-voltage transistor. -
Texto en otros idiomas
puede diferir
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Dimensiones (Alt,Ancho,Prof.) incl.pins/tip |
85 x 5 x 4 mm / 3.35 x 0.20 x 0.16 inch |
Peso |
1 g / 0.04 oz |
Literatura |
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- - Manufacturers Literature Hi-Sincerity Microelectronics Corp. Taiwan
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HSB1109S
Günther Stabe † 19.8.20
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Colección personal de
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[rmxtube-en]
Cumplimiento de datos |
Más información |
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