Radios antiguas y Radios de Colección
HSD1609
País:
Taiwan (Republic of China)
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Idéntica a |
HSD1609
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Válvulas similares |
Other base and data slightly different:
2SD1609
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Base |
Wires
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Descripción |
NPN silicon epitaxial planar high-voltage transistor intended as AF medium Power Amplifier / driver .
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Texto en otros idiomas
puede diferir
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Dimensiones (Alt,Ancho,Prof.) incl.pins/tip |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
Peso |
1 g / 0.04 oz |
Literatura |
- - Manufacturers Literature Hi-Sincerity Microelectronics Corp. Taiwan
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HSD1609
Günther Stabe † 19.8.20
Mas ...
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Colección personal de
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[rmxtube-en]
Cumplimiento de datos |
Más información |
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