Radios antiguas y Radios de Colección
IRF530
País:
Estados Unidos
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Idéntica a |
IRF530
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Válvulas similares |
Different maximum ratings:
IRF520
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Base |
Wires
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Descripción |
Silicon n-channel power MOS-FET, Enhancement mode, 100 V, 14 A.
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Texto en otros idiomas
puede diferir
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Dimensiones (Alt,Ancho,Prof.) incl.pins/tip |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
Peso |
2 g / 0.07 oz |
Precios de válvulas |
1 Precios de válvulas (visible
solo para miembros)
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Literatura |
- - Manufacturers Literature Samsung
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IRF530
Günther Stabe † 19.8.20
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IRF530: International-Rectifier Datenblatt
Oskar Elm
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Colección personal de
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[rmxtube-en]
Cumplimiento de datos |
Más información |
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