Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
IRFU410
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Land:
USA
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| Identisch mit |
IRFU410
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement mode;
Form/Case/Outline: TO-220 | TO-252 / D-PAK Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 520 V; Id: 1.2 A; Idss: <10 µA; Vgs: +/- 20 V; Vgs(th): 2...4 V; Rds(on): 10.0 Ω; Pd: 42 W; td(on): <20 ns; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 2 x 10 mm / 0.39 x 0.08 x 0.39 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Fairchild
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IRFU410: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
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