Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
KA1222
Land:
Südkorea
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Identisch mit |
KA1222
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Sockel |
Drahtenden
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Beschreibung |
Aufbau/Content: IC (__ Trans., __ Widerst., __ Dioden, __ Kond.);
Form/Case/Outline: SIP-8 (Sip-9 mit gekürztem Pin 9);
Applikation/Type: Dual low noise Equalizer Amplifier;
Daten/electr.data: Vcc: 2.5 ...7.5 V; Icc: <6 mA; Pd: <200 mW, THD: 0.1 %; t op: -20...+70 °C.
Manufactured by Samsung -
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Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
20 x 6 x 3 mm / 0.79 x 0.24 x 0.12 inch |
Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
Literatur |
- - Manufacturers Literature Samsung
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KA1222: Samsung
Günther Stabe † 19.8.20
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KA1222: Samsung
Günther Stabe † 19.8.20
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KA1222: Samsung
Günther Stabe † 19.8.20
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:4
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
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