Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
KA2S0880
Land:
Südkorea
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Identisch mit |
KA2S0880
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Sockel |
Drahtenden
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Beschreibung |
Aufbau/Content: IC (__ Trans., __ Widerst., __ Dioden);
Form/Case: TO-3P-5L Anschlussfolge Drain-GND-Vcc-FB-Sync;
Applikation/Type: Power MOSFET with logic = SMPS with minimum external components;
Daten/electr.data: Vdss: 800 V; Id: 8 A; Vgss: +/- 30 V; Vcc: <30 V; Pd: 190 W; Idss: <50 µA; Rds(on): 1.2 Ω; td(on): <90 ns; f: <150 kHz; t op: -25...+85 °C.
Manufactured by Samsung (ROK) -
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Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
16 x 21 x 4 mm / 0.63 x 0.83 x 0.16 inch |
Gewicht |
4 g / 0.14 oz |
Literatur |
-- Original-techn. papers. Fairchild
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KA2S0880: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
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KA2S0880: Fairchild
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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