KSD415

Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar NPN;
Form/Case/Outline: -?- Anschlussfolge -?-;
Daten/electr.data: I F: __ mA; U F: __ V; U S: __ V; Isp: __ µA; ß (beta): __*; N: __ mW; Imax(Ic): __ mA; Umax(Ucb): __ V; Umax(Uce): __ V; f g(FT): __ MHz; tmax j: __ °C;
Varianten: KSD415-R = 40-80*, KSD415-O = 70-140*, KSD415-Y = 120-240* (beta-Gruppen).
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