Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
ME15N10
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
ME15N10
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal D-S Power MOS-FET;
Form/Case/Outline: TO-252 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: I dss: <1 µA; V gss: ± 20 V; I gss: ±1 00 nA; V gs(th): 1...3 V; N: 34.7 W; Id: 14.7 A; V dss: 100 V; Rds(on): 0.08 Ω; t r: 33 ns; tmax j: 150 °C;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
6 x 7 x 3 mm / 0.24 x 0.28 x 0.12 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Matsuki Electric
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ME15N10: Matsuki
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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