Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
MPF910
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Land:
USA
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| Identisch mit |
MPF910
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-Sperrschicht-FET, Enhancement Mode;
Form/Case: TO-92-L Anschlussfolge: DGS;
Daten/electr.data: Idss: 0.1 µA; Id max: 0.5 A; Vds: 60 V; Vgs: +/- 20 V; Pd: <1 W; t op: -65...+150 °C;
TMOS switching -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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MPF910
Günther Stabe † 19.8.20
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MPF910
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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