Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-Sperrschicht-Leistungs-FET, Anreicherungstyp; Form/Case/Outline: TO-3 Anschlussfolge GDS; Daten/electr.data: Vgs off: 2...4.5 V; Vgss: __ V; Igss: +/- __ µA; Idr: __ A; N: 250 W; Id: 15 A (peak: 70 A); Vdss: 400 V; td(on): 60 ns; tmax j: 150 °C; Schneller Hochvolt-Leistungsschalter -