radiomuseum.org

MTP4N80E

Información - Ayuda 
ID = 85523
       
País:
Estados Unidos
Marca: Motorola Inc. (ex Galvin Mfg.Co. Chicago); Schaumburg (IL)
Tipo:  Transistor   Power-supply 
Idéntica a MTP4N80E
Base Wires
Descripción

Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power FET Enhancement Mode TMOS;
Form/Case: ~ TO-220;
Daten/electr.data: VDSS: 800 V; ID: 4 A; PD: 125 W; RDS(on): 3.0 Ω; TJ max: +150 °C.
-

 
Dimensiones
(Alt,Ancho,Prof.)
incl.pins/tip		 10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch
Peso 2 g / 0.07 oz
Literatura - - Manufacturers Literature   
mtp4n80e.png MTP4N80E: Datasheet
Egon Strampe

Colección personal de

Egon Strampe (D)
 
mtp4n80e.jpg

 
[rmxtube-en]
  
Cumplimiento de datos Más información