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NA31

Information - Hilfe 
ID = 45775
       
Land:
USA
Marke: Common type USA tube/semicond.
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit NA31
Ähnliche
Grenzwerte anders:
  BC338
Sockel Drahtenden
Beschreibung Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN;
Form/Case: TO-92 NA31; TO-237 NA31X: Anschlussfolge CBE; NA31Y: Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 300 mA; U S: 0.5 V; Isp: 1 µA; ß (beta): 30-350*; N: 750 mW; Imax(Ic): 2 A; Umax(Uce): 30 V; f g(FT): >20 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: NA32 ( NA32X / NA32Y ).
Variante: NA31K in Geh. X-17* (EBC), NA31M in Geh. X-17* (BCE), beide N max: 10 W;
Suffix -G = 68-110*, H = 100-160*, I = 140-240*, X = 30-110*, Y = 100-350* (beta/hfe-Gruppen);
Manufactured by National Semiconductor Corp. *) X-17 ~ Miniatur-X-81 - 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 5 x 7 x 4 mm / 0.20 x 0.28 x 0.16 inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur -- Schematic   Towers IVT
na31_sch.png
NA31: National Semiconductor 1978
Heinz Höger
to237_1.gif NA31: National Semiconductor
Günther Stabe † 19.8.20
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 na31_dat_1.png
NA31: National Semiconductor 1978
Heinz Höger
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Verwendung in Modellen 1= 1972?? ; 9= 1976? ; 4= 1980
Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org bestückt:14
 
[rmxtube-ge, noindex]
  
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