Material/Aufbau/Pol.: Germanium Legierung PNP; Form/Case: Allglas / R-9; Daten/electr.data: I F: 3 mA; U F: 5 V; Isp: 3 µA; ß (beta): 20-80; N: __ mW; Imax(Ic): +/-100 mA; Umax(Uce): -20 V; f g(FT): 3 MHz; tmax: 75 °C. Hinweis: unter gleicher Bezeichnung wurde von Intermetall ein Si-Transistor gefertigt: => OC46_Intermetall -
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