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OC825

Information - Hilfe 
ID = 35023
       
Land:
Deutschland / Germany
Marke: Halbleiterwerk Frankfurt /Oder, VEB, (HFO); Frankfurt /Oder (Ostd.)
Entwickler: Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik (WBN), Teltow, VEB, RFT (Ostd.) - vorm. DRALOWID 
Typ:  Transistor   Niederfrequenz 
Identisch mit OC825
Ähnliche
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
  AC121
Erste Quelle(n)
Mar.1960 : -- Collector info (Sammler)
Vorgänger OC811   OC816   OC821  

Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Germanium Fläche PNP;
Form/Case: ähnlich TO-5 (SU:mp); IEC-Norm T09
Daten/electr.data: I F: 2 mA; U F: 6 V; Isp: 15 µA; ß (beta): >20; N: 150 mW; Imax(Ic): 150 mA; Umax(Uce): -20 V; f g(FT): 300 kHz; tmax: 75 °C.
Varianten: LA100, LC824 = Lehr- und Amateuertypen - erweiterte Kennlinientoleranzen.

 
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
10 x 8 x mm / 0.39 x 0.31 x inch
Gewicht 3 g / 0.11 oz
Literatur Radio und Fernsehen (DDR)   23/1961

oc825.gif
OC825: Radio und Fernsehen 23 / 1962
Egon Strampe

bauform_oc824_829_1.gif OC825: Radio u. Fernsehen 23/1961
Wolfgang Eckardt

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d_hfo_oc825_dat.png
OC825: Hersteller
Karl-Heinz Entrich † 7.21

Verwendung in Modellen 2= 1961 ; 3= 1962 ; 1= 1963?

Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org bestückt:6

Sammlung von

 
d_oc825_foto.jpg

OC825
 

[rmxtube-ge, noindex]
  

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