Material/Aufbau/Pol.: Früher Germanium Flächen PNP Transistor; Form/Case/Outline: (spezial); Daten/electr.data: I F: __ mA; U F: __ V; Isp: __ µA; ß (beta): __; N: __ mW; Imax(Ic): 5 mA; Umax(Uce): -20 V; f g(FT): 0.1 MHz*; tmax j: 75 °C. Varianten: П1A / П1Б = hfe(gain): 33 / П1В / П1Г / П1Д / П1Е (f g: 0.46 MHz, selektiert für AM-ZF-Verst.) / П1Ж (1 MHz*)/ П1И (1.6 MHz*)
