Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
RF2001T4S
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
RF2001T4S
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Aufbau/Material/Pol.: Silizium Epitaxial Planar Diode;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso Anschlussfolge A1-K1-A1;
Daten/electr.data: Vrrm: 430 V; Vf: <1.6 V; Ir: <10 µA, I o: 20 A; Ifsm: 100 A; t rr: <30 ns; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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RF2001T4S: ROHM
Günther Stabe † 19.8.20
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RF2001T4S: ROHM
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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