Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
RN1206
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
RN1206
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Aufbau/internal: IC (1 Trans., 2 Widerst.);
Form/Case/Outline: 2-4E1A (~TO-92-S) Anschlussfolge ECB;
Typ/Content: "Digitaler Transistor" (epitax. planar) NPN mit 2 integrierten Dünnfilm-Widerständen* 4.7kΩ + 47kΩ;
Daten/electr.data: Umax: 50 V; Imax: 100 mA; Ptot: 300 mW; t max j: 150 °C; kompl.: RN2206;
Family: RN1201...RN1206 = untersch. R-Werte /-Kombinationen;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
4 x 3 x 3 mm / 0.16 x 0.12 x 0.12 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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RN1206: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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RN1206: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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