Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
SB10100FCT
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Land:
Volksrepublik China
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| Identisch mit |
SB10100FCT
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
MBR10100CT
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Aufbau/Content: Dual Schottky Barrier Power Rectifier;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge A1-K1/K2-A2;
Application/Type: High-frequency power supplies.
Daten/electr.data: If(av): 2 x 10 A; VF: 0.85 V; IR: 0.5 mA; Vrrm: 100 V; tmax j: 150 °C;
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 4 mm / 0.39 x 0.63 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature PanJit Semiconductors
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SB10100FCT: (Mitsubishi)
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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