Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
SE9301
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Land:
USA
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| Identisch mit |
SE9301
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
BD901
Grenzwerte anders:
SE9300
; SE9302
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Darlington Silizium Epitaxial Base diff. NPN;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge B1-C1/C2-E2;
Daten/electr.data: I F: __ A; U S: <2.5 V; Isp: 200 µA; ß (beta): 1000; N: 70 W; Imax(Ic): 10 A; Umax(Uce): 80 V; f g(FT): >1 MHz; tmin j: -65 °C; tmax j: 150 °C.
Manufactured by Central Semiconductor Corp., Hauppauge NY (USA) / Fairchild
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
4 g / 0.14 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Central Semiconductor Corp.
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SE9301: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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