Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
SPP11N65C3
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Land:
Europa
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| Identisch mit |
SPP11N65C3
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: N-Kanal MOS-FET (Cool MOS Power°), Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-220 ( SPP11N65C3) | TO-220-Iso (SPA11N65C3*) | TO-262 (SPI11N65C3) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Rds(on): 0.38 Ω; Vgs(th): 2.1 ... 3.9 V; Vgss: +/- 30 V; Pd: 125 (33*) W; Id: 11 A (pulse: 33 A); Idss: <1 µA; Igss: <100 nA; Vdss: 650 V; td (on): 10 ns; tmax j: 150 °C;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Infineon
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SPP11N65C3: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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SPP11N65C3: Infineon
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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