Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
SPW17N80C3
|
Land:
Deutschland / Germany
|
|
| Identisch mit |
SPW17N80C3
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Enhancement Mode;
Form/Case/Outline: TO-247 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vdss: 800 V; Id: 17 A; Vgs: +/- 30 V; Igss: <100 nA; Vgs(th): 2.1 ... 3.9 V; Idss: <25 µA; Pd: 208 W; Rds(on): 0.29 Ω; tmax j: 150 °C.
Varianten: SPA17N80C3 (TO-220-Iso, 42 W), SPB17N80C3 (TO-263, 208 W), SPP17N80C3 (TO-220, 208 W);
-
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
16 x 21 x 5 mm / 0.63 x 0.83 x 0.20 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Infineon
|
|
SPW17N80C3: Siemens
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
