Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
SSH6N80
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Land:
Südkorea
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| Identisch mit |
SSH6N80
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-3-Pl Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs: +/- 30 V; Idss: <250 µA; Igss: <100 nA; Vgs(th): 2 ... 4.5 V; Pd: 170 W; Id: 6 A; Vdss: 800 V; Rds(on): <1.9 Ω; tmax j: 150 °C.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
16 x 23 x 5 mm / 0.63 x 0.91 x 0.20 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Samsung
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SSH6N80: Samsung
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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