Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STP3NB60
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STP3NB60
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
STP3NC60
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal PowerMESH (TM) II MOS-FET, Enhancement Mode;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge GDS | TO-220-Iso (STP3NB60FP);
Daten/electr.data: V dss: 600 V; I dss: 1 µA; Vgs: +/- 30 V; I gss: +/- 0.1 µA; Id: 3.3 (2.2) A; Pd: 80 (35) W; Rds(on): 3.3 Ω; td(on): 11 ns; tmax j: 150 °C.
Variante: STP3NB60FP (Iso220): abweichende Angaben in Klammern -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ST Microelectronics (SGS-Thomson)
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STP3NB60: Schema-EM2E
Egon Strampe
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STP3NB60: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
Mehr...
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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