Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STP4NK60
Land:
Frankreich / France
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Identisch mit |
STP4NK60
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Sockel |
Drahtenden
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Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Zener-protected SuperMESH (TM) MOS-FET;
Form/Case/Outline: TO-220 (STP4NK60Z) | Iso220 (STP4NK60ZFP) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: V dss: 600 V; Vgs: +/- 30 V; Id: 4 A; Rds(on): 1.76 Ω; Pd: 70 (25) W; tmax j: 150 °C.
Varianten: STP4NK60ZFP (Iso220): abweichende Angaben in Klammern;
STD4NK60Z-1: IPAK, STB4NK60ZT4: D²PAK, STD4NK60ZT4: DPAK; -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT) inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch |
Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
Literatur |
- - Manufacturers Literature ST Microelectronics (SGS-Thomson)
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STP4NK60: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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