Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STP53N06
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STP53N06
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Anreicherungstyp / Enhancement mode;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgss: __ V; Vgs: +/- 20 V; Idss: __ µA; Igss: __ nA; Vsd: __ V; Pd: 150 W; Idr: 53 A; Vdss: 60 V; Rds(on): <0.025 Ω; tmax j: 175 °C.
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature ST (SGS-Thomson) Microelectronics
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STP53N06: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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STP53N06: Power Mos Devices S.1113
Egon Strampe
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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