Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal PowerMESH (TM) II MOS-FET; Form/Case/Outline: TO-220 | Iso220* Anschlussfolge GDS; Daten/electr.data: Vd: 600 V; Id: 9 (5.2) A; Pd: 125 (40) W; tmax j: 150 °C. Variante: STP9NC60FP (Iso220*): abweichende Angaben in Klammern -