Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
STW7NB80
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Land:
Frankreich / France
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| Identisch mit |
STW7NB80
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal PowerMESH° MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-247 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs(th): 4 V; Vgs: +/- 30 V; Idss: <1 µA; Igss: <100 nA; Pd: 160 W; Rds(on): 1.6 Ohm; Id: 6.5 A; Idm: 50 A; Vdss: 800 V; t op: -65...+150 °C.
Manufactured by ST Microelectronics; Leistungsschalter, auch als W7NB80 bezeichnet/gestempelt -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
16 x 20 x 5 mm / 0.63 x 0.79 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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STW7NB80: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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STW7NB80: ST
Egon Strampe
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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