| Descrizione |
Material/Aufbau: Silizium Gleichrichter-Diode;
Form/Case/Outline: ~ DO-201;
Daten/electr.data: I F: __ A; U F: <1.2 V; I sp: <20 µA; U sp: 100...1000 V*; N: __ W, Imax: 1.5 A; Umax: 70...700 V**; tmax: 150 °C;
Suffix = Spannung (*=per.Spitzensperrspannung, **=Sperrgleichspannung): /05= 50*,35**, /1= 100*,70**, /2= 200*,140**, /3= 300*,210**, /4= 400*,250**, /6= 600*,420**, /8= 800*,560**, /10= 1000*,700**
Entwickelt im VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht", Stahnsdorf. -
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