Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
N1A4M
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
N1A4M
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: IC (1 Trans. PNP, 2 Widerst.) ;
Form/Case/Outline: TO-92 (AN1A4M) Anschlussfolge BCE | S-22 (BN1A4M), ECB | SOT23-Mini (FN1A4M, Marking: L33), EBC | SOT-23-3 (GN1A4M, Marking: L33), EBC;
Type/Application: "Digitaler Transistor": epitaxial planar PNP mit 2 integrierten Dünnfilm-Widerständen á ~ 10 kΩ;
Daten/electr.data: I F: 0.25 mA; Umax(Ucb): -60 V; Umax(Uce): -50 V; Imax(Ic): 100 mA; hfe1: 60-190; Ptot: <300 mW; t op: -55...150 °C; kompl.: A1A4M;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
4 x 3 x 2 mm / 0.16 x 0.12 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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N1A4M: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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N1A4M: NEC
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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