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STW9NA60

Información - Ayuda 
ID = 45836
       
País:
Francia
Marca: Thomson (marque), Thomson-Houston (CFTH); Paris
Tipo:  Transistor   Power-supply 
Idéntica a STW9NA60
Base Wires
Descripción

Material/Aufbau/Pol.: N-channel fast Power MOS-FET, Enhancement Mode;
Form/Case/Outline: TO-247 (STW9NA60)| Isowatt218 (STW9NA60FI*) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: P tot: 160 (70*) W; I d: 9.5 (6.4*) A; V gs: +/- 30 V; V dss: 600 V; Idss: <25 µA; Rds(on): <0.8 Ohm; tmax j: 150 °C.
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Dimensiones
(Alt,Ancho,Prof.)
incl.pins/tip		 16 x 20 x 5 mm / 0.63 x 0.79 x 0.20 inch
Peso 3 g / 0.11 oz
Literatura - - Manufacturers Literature   ST Microelectronics SGS-Thomson
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STW9NA60: ST Microelectronics
Günther Stabe † 19.8.20
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Günther Stabe † 19.8.20
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STW9NA60: ST Microelectronics
Günther Stabe † 19.8.20

Colección personal de

Christian Schaufelberger (CH)
 
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