Material/Aufbau/Pol.: N-channel fast Power MOS-FET, Enhancement Mode; Form/Case/Outline: TO-247 (STW9NA60)| Isowatt218 (STW9NA60FI*) Anschlussfolge GDS; Daten/electr.data: P tot: 160 (70*) W; I d: 9.5 (6.4*) A; V gs: +/- 30 V; V dss: 600 V; Idss: <25 µA; Rds(on): <0.8 Ohm; tmax j: 150 °C. -