Halbleiter-Bastlerbeutel in der DDR
Halbleiter-Bastlerbeutel in der DDR
![Wolfgang Eckardt](https://www.radiomuseum.org/image.cfm?image=d_eckardt_052008_rm.jpg&width=120&height=140)
Bei der Herstellung von Halbleitern - Dioden, Transistoren, Schaltkreise - fallen relativ viel Exemplare an, die zwar voll funktionsfähig sind, aber in einigen Parametern von den garantierten Werten abweichen. Um sie nicht verschrotten zu müssen, gab es schon frühzeitig Bestrebungen, diese Bauelemente preiswert für Experimentalzwecke oder untergeordnete Anwendungen zu vermarkten. Das war in Deutschlands Westen nicht anders als im Osten. (siehe z.B. hier.)
In der DDR wurde ein Teil der Transistoren als L-Typen gekennzeichnet, als Typenreihe für "Lehr- und Amateurzwecke mit größerem Toleranzbereich", für die sogar extra Datenblätter herausgegeben wurden. ("Die neue Bastler-Schaltung", Heft 1/1966, Hrsg. HFO oder Katalog "Halbleiter-Bauelemente", HFO 1965).
Anfangs klassifizierte man nur in wenige Gruppen mit LA...., z.B. LA25, LA50, LA100, LA1, LA4, LA30, LA40, später konnte man aus der Bezeichnung mit dem vorangestellten "L" die serienmäßige Typenreihe erkennen, aus der diese Halbleiter ausgewählt wurden, und der zweite Buchstabe deutete auf den Einsatzzweck und die Bauform hin, z.B. LC815, LC824, LD830, LD835, LF871, LF880. Einige davon sind auch im RM angelegt. Schaltkreise erhielten einen anderen Buchstaben vorangesetzt, aus dem D100D wurde so ein R100D. (siehe z.B. hier.)
Der weitaus größere Teil dieser "Halbleiter mit größerem Toleranzbereich" wurde aber nicht gestempelt sonder einfach "getütet" in Bastlerbeuteln, vereinzelt noch mit Farbmarkierung versehen.
In den 60er-Jahren kam der Unternehmer Moritz Hädrich, Inhaber der Firma MHS in Saalfeld auf die Idee, Transistoren, die in den Halbleiterwerken nach ihrer Prüfung nicht die erforderlichen Parameter aufwiesen, als „Bastlerware“ vor der Verschrottung zu retten und für die zahlreichen Radio-Amateure abgepackt in den Handel zu bringen. Die Idee der Halbleiter - Bastlerbeutel war geboren. Der „verwertbare Ausschuss“ konnte den sehnsüchtig auf moderne Halbleiter wartenden Amateuren und Bastlern übergeben werden. Eine ungeahnte Bastlerwelle mit den preiswerten Bauelementen setzte ein und jede Menge Literatur mit Bastelvorschlägen erschien! Deren Qualität entsprach allerdings nicht immer den Wünschen der "Bastler", was diese allerdings meistens erst feststellten, wenn die Schaltung nicht funktionierte oder die Transistoren den "Hitzetod" gestorben waren. (Das war in den 20er-Jahren nicht anders - nur mit Röhren!)
![](/forumdata/users/217/Bastlerbeutel_Firmierung2_rm4.jpg)
![](/forumdata/users/217/Hinweis_Beutel2_HF.gif)
Nr.
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Transistoren
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Techn. Hinweise
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Anwendung
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|
Anzahl
|
Typ / aus Baureihe
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|||
1
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11
3
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OC815 - OC821
GC115 - GC123 GC100, GC101
GC301
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Ge-pnp-Typ
P=50 - 120 mW
P=400 mW
|
NF-Verstärker, Prüfgeräte, Elektronik-Schaltungen
(7,50 M)
|
2
|
6
4
|
OC870;
GF100 - GF105
GF122;
GF130 - GF132
Import SU
|
Ge-pnp-Typ
HF-Transistor
HF-/UKW-Drift-Transistor
|
Empfängerschaltungen
LW-KW,
AM/ FM- ZF-Verstärker
UKW-Empfänger
(10,00 M)
|
3
|
2
2
1
|
OC830 - OC833
GD100 - GD130
OC835 - OC837
GD150 - GD180
GD240 - GD244
|
Ge-pnp-Typ
1 W
5,3 W
10 W
|
NF-Verstärker
stabilisierte Netzteile
Elektronikschaltungen
(7,10 M)
|
4
|
4
4
4
|
OY100 - OY105
GY099 - GY105
OY110 - OY115
GY109 - GY115
SY200 - SY210
|
0,1 A, Ge-Gleichr.
1 A, Ge-Gleichr.
1 A, Si-Gleichr.
|
Stromversorgung
(8,00 M)
|
4/5
|
4
|
GY120 - GY125
|
10 A, Ge-Gleichr.
|
Stromversorgung für höhere Ströme (15,00 M)
|
5
|
4
|
SY160/SY166
|
10 A, Si-Gleichr.
|
Stromversorgung für höhere Ströme (15,00 M)
|
6
|
20
|
SC206, SC207
SF215, SF216
SS200, SS202
|
Si-Miniplast-Transistoren
|
NF-, HF- und Elektronik-Anwendungen (9,90 M)
|
7
|
6
6
|
SF131 - SF137
SS106 - SS109
SF021 - SF129
SS120 - SS126
|
300 mW
Metallgehäuse
600 mW
Metallgehäuse
|
NF-, HF- und Elektronik-Anwendungen
(10,30 M)
|
8
|
4
1
1
1
1
|
D100
D110
D120
D130
D140
|
IS1 (ohne Kennz.)
IS2 (weiß)
IS3 (gelb)
IS4 (braun)
IS5 (blau)
|
4 NAND-Gatter mit
je 2 Eingängen
3 NAND-Gatter mit
je 3 Eingängen
2 NAND-Gatter mit
je 4 Eingängen
1 NAND-Gatter mit
8 Eingängen
2 Leistungs-NAND-Gatter mit je 4 Eing. (34,90 M)
|
9
|
5
5
2
|
SF240-SF245
SF225
SF129
|
Si-Transistoren
|
geregelte ZF/HF-Verst.
ungeregelte ZF/HF-Verst.
für höhere Spannungen
>100 V (7,55 M)
|
10*
|
6
|
SU161-SU165
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Si-Leistungs-Transistoren
|
Steuern, Regeln (Transverter, Ladegeräte, Netzteile)
|
In der Anlage ist diese Übersicht mit je einer Abbildung des Beutels bzw. des Begleitheftes zu sehen. Teilweise liegen diese Beutel noch im zugeschweißten Originalzustand vor.
Wolfgang Eckardt
Nachtrag:
* Für den "Bastlerbeutel 10" erschien später eine verbesserte Auflage als "Bastlerbeutel 15", in dem 5 Stück der leistungsfähigeren Si-Leistungstransistoren aus der Reihe SU169 (TO3-Gehäuse) enthalten waren.
![](/forumdata/users/217/BB_30_titel.jpg)
Im vorstehenden Beitrag sollte es ausschließlich um die Bastlerbeutel mit diskreten Bauelementen der Halbleitertechnik gehen, wobei eigentlich die Nr. 8 schon eine Ausnahme ist.
W.E.
- Bastlerbeutel DDR (179 KB)
Für diesen Post bedanken, weil hilfreich und/oder fachlich fundiert.
Bastler-Transistoren "säckeweise"?
![Wolfgang Eckardt](https://www.radiomuseum.org/image.cfm?image=d_eckardt_052008_rm.jpg&width=120&height=140)
Wie der jetzt aufgefundene Beipackzettel belegt, gab es die Bastlertransistoren und -dioden - also den verwertbaren Ausschuss - nicht nur in Bastlerbeuteln sondern in den 1960er-Jahren auch fast "säckeweise" nach Sortimenten unterteilt aus dem Halbleiterwerk Frankfurt /O. - 150 auf einen Streich .....
Der vorgefundene Plastikbeutel enthielt noch ein paar Restexemplare - und diesen Beipackzettel.
W.E.
Für diesen Post bedanken, weil hilfreich und/oder fachlich fundiert.