Hochleistungs - Verstärker ( MOSFET - PA ) 2 x 500 W PA

Elrad; Hannover

  • Año
  • 1985
  • Categoría
  • Kit (Partes con instruciones) o Solo Instrucciones
  • Radiomuseum.org ID
  • 278683

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 Especificaciones técnicas

  • Numero de transistores
  • 21
  • Principio principal
  • Amplificador de Audio
  • Gama de ondas
  • - no hay
  • Tensión de funcionamiento
  • Alimentado desde otro equipo o aparato principal. / DC: +85 & -85 Volt
  • Altavoz
  • - Este modelo usa altavoz exterior (1 o más).
  • Potencia de salida
  • 1100 W (1250 W max.)
  • Material
  • Materiales diversos
  • de Radiomuseum.org
  • Modelo: Hochleistungs - Verstärker 2 x 500 W PA - Elrad; Hannover
  • Forma
  • Chasis (tambien de autoradio)
  • Anotaciones
  • ELRAD, 2 x 500 W PA ( Hochleistungsendstufe ), STEREO - NF-Verstärker, 

    Bauvorschlag / Vorstellung in den Heften 2,3 und 4 des Jahres 1985. die Sinus-Leistung pro Kanal beträgt 550 W an 4Ω, in Brückenschaltung sind max 2,2 kW an 4Ω erreichbar und bei 8Ω ca 1,1 kW, zahlreiche Schutzschaltungen für eine sicheren Betrieb siehe ausführliche Beschreibung

    Technische Daten:

    • Sinusdauerleistung: 550 Watt / 4 Ohm pro Kanal
    • Spannungsfrequenzgang:
      • 23 Hz - 28 kHz:  +0/ -1 dB    
      • 12 Hz - 45 kHz:  +0/ -3 dB
    • Leistungsbandbreite: 10 Hz - 40 kHz
    • max. Slewrate: 20 - 30 V/µs an 4Ω
    • Eingangspegel für Vollaussteurung: 0,707V (-0,8 dBm)
    • Verstärkung: 63,7 -fach (36 dB)
    • Eingangsimpedanz: 22 kΩ
    • DC-Offset: ca. 1 mV
    • Fremdspannungsabstand  (20 - 20000 Hz): -104 dB
    • Dämpfungsfaktor ( 1 kHz, 4 Ω , Vollaust.): mind.  200 fach
    • max. Ausgangsstrom: + / -  35 A

    Je Endstufenmodul werden 12 Leistungs-MOSFET- Transistoren ( V - MOS ) vom Hersteller  HITACHI verwendet, 6 x 2SK135 und 6 x 2SJ50, alle Halbleiter - Typen sind/ können mehrfach vorhanden sein.

  • Mencionado en
  • ELRAD 1985 Heft 2-4
  • Autor
  • Modelo creado por Reinhard Keins. Ver en "Modificar Ficha" los participantes posteriores.

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