500 Watt Sinus - POWER - FET - Endstufen - Modul Modul

FG Elektronik, Franz Grigelat; Rückersdorf/Nürnberg

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  • Année
  • 1984
  • Catégorie
  • Amplificateur BF ou mélangeur BF
  • Radiomuseum.org ID
  • 279536

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 Spécifications techniques

  • No. de transistors
  • 17
  • Principe général
  • Amplification audio
  • Gammes d'ondes
  • - sans
  • Particularités
  • Equipement HIFI
  • Tension / type courant
  • Alimentation externe ou alimentation principale / + 75 & -75 Volt
  • Haut-parleur
  • - Ce modèle nécessite des HP externes
  • Puissance de sortie
  • 500 W (sans distorsion)
  • Matière
  • Matériaux divers
  • De Radiomuseum.org
  • Modèle: 500 Watt Sinus - POWER - FET - Endstufen - Modul [Modul] - FG Elektronik, Franz Grigelat;
  • Forme
  • Chassis (pour intégration dans meuble)
  • Dimensions (LHP)
  • 119 x 119 x 240 mm / 4.7 x 4.7 x 9.4 inch
  • Remarques

  • FG Elektronik, ( Franz Grigelat ), 500 Watt Sinus Power - FET - Endstufen Modul,

    Hochleistungs NF-Verstärker Baustein mit einer maximalen Ausgangsleistung von 500 W an 4 Ω, in Brückenschaltung sind 1000 Watt an 8 Ω erreichbar, zahlreiche Schutzschaltungen sorgen für einen sicheren Betrieb, das Modul ist leerlaufsicher, sowie kurzschluß und übertemperatursicher, als Leistungstransistoren werden 8 MOSFET - Leistungstransistoren von  HITACHI verwendet, jeweils 4 x SJ56 und 4 x SK176 im TO3 -Gehäuse,

    Technische Daten:

          ♦  Sinusdauerleistung  500 Watt an  4 Ohm
          ♦  Leistungsbandbreite  5 Hz - 120 kHz
          ♦  Frequenzgang ( 20.....20000 Hz) +- 0,1 dB
          ♦  max. Slewrate  ca. 50 V/µs
          ♦  Nenneingangsspannung  0,77 V
          ♦  Eingangsimpedanz  33 kΩ
          ♦  Fremdspannungsabstand ( Vollaussteurung )   > 103 dB
          ♦  Dämpfungsfaktor ( 40 Hz , 4 Ω )  > 200
          ♦  Betriebsspannung  +- 75 V

    Alle Halbleiter- Typen können mehrfach vorhanden sein, der Endsufenbaustein war nur als Fertigmodul lieferbar und wird auch in dem Grigelat
    500 Watt Sinus POWER - FET - Verstärker 19Z/500
    verwendet, die Schaltung ist identisch, (siehe Schaltbilder ) mit der im  ELRAD  Hochleistungs - Verstärker ( MOSFET - PA ) 2 x 500 W PA verwendeten, sie basiert auf  Schaltungvorschlägen/Grundlagen  von HITACHI / SIEMENS.

    Unterschiede:

    Grigelat:                                           Elrad:
    8 x Mosfet                                          12 x Mosfet pro Endstufe
    Spannung  +- 75V                              Spannung  +- 85V
    Trafo  1000VA  RK                             Trafo  700VA  RK
    Elkos  8 x 10000µF/100V                   Elkos  2 x 10000F/100V 
    Sinus-Leist.  500 Watt                        Sinus-Leist.  550 Watt 

  • Poids net
  • 2.3 kg / 5 lb 1.1 oz (5.066 lb)
  • Prix de mise sur le marché
  • 665.00 DM
  • Littérature
  • -- Original prospect or advert (FG - Lagerliste 27)
  • Auteur
  • Modèle crée par Reinhard Keins. Voir les propositions de modification pour les contributeurs supplémentaires.

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